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纳米二氧化锡室温气敏器件及其制造方法

来源：作者：加入时间：2007-3-28 11:03:08　阅读次数：

申请（专利）号： 971142106　　　　　　　[公开日] 1998年3月11日
[申请人] 中山大学　　　　　　　　　　　　[申请日] 1997年8月5日

本发明涉及一种室温气敏器件及其制造方法。首先采用溶胶—凝胶法及水解法制成Ｓｎ（ＯＨ)2微粒，并在制作过程中使用了超声波振荡粉碎沉淀物，然后在低温（低于１００℃）分解去水而得ＳｎＯ微粒，经氧化而成纳米ＳｎＯ2颗粒，再经压制、银焊上电极而成为纳米ＳｎＯ2室温气敏器件。本发明的气敏器件在室温下便具有较高的对氧气和氧化性气氛的敏感性，器件结构简单，使用相当方便可靠，对生产工艺及使用条件要求低，生产成本少

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